在第三代半導體的商業(yè)化道路上，日本廠商又添了一把力。

東芝近日官網(wǎng)宣布，第三代SiC MOSFET(碳化硅場效應管)計劃在今年8月下旬開始量產(chǎn)。據(jù)了解，該新產(chǎn)品使用全新的器件結構，具有低導通電阻，且開關損耗與第二代產(chǎn)品相比降低了約20%。

【資料圖】

東芝的第二代SiC MOSFET量產(chǎn)于2020年8月。今年一季度，東芝宣布在內(nèi)部生產(chǎn)用于功率半導體的SiC外延片，并且投資55億用于功率器件擴產(chǎn)，包括建設8英寸的碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)線。

東芝表示，未來這種“外延設備+外延片+器件”的IDM模式，有利于他們搶占鐵路、海上風力發(fā)電、數(shù)據(jù)中心以及車載等市場。

▍SiC商業(yè)化進程加速本土廠商靠新能源車、光伏贏得入場機會

SiC在高壓、高功率應用場景下性能優(yōu)越，適用于600V以上高壓場景，因此電動車及光伏等熱門場景對SiC的需求相當旺盛。Wolfspeed、英飛凌以及意法半導體等多家國外企業(yè)已經(jīng)陸續(xù)宣布擴產(chǎn)。

從競爭格局上看，目前海外龍頭(Wolfspeed、II-VI占據(jù)60%以上市場份額)已實現(xiàn)6英寸規(guī)?；⑾?英寸進軍。國產(chǎn)廠家(天岳先進、天科合達、晶盛機電、露笑科技等)以小尺寸為主、向6英寸進軍。

性價比是決定SiC器件大批量使用的關鍵，襯底制備為SiC性價比提升的核心，也是技術壁壘最高環(huán)節(jié)。

國內(nèi)碳化硅襯底龍頭天岳先進在近期宣布簽訂14億元大單。就此，中金證券近日發(fā)布研報稱，這從一定程度上體現(xiàn)出SiC器件滲透率呈現(xiàn)快速提升，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場規(guī)模有望迎來快速成長期，另一方面也反映出國內(nèi)材料企業(yè)在N型SiC導電型襯底方面的技術實力及產(chǎn)能規(guī)模都在不斷增強。SiC行業(yè)的落地在今年內(nèi)已開始呈明顯加速趨勢。

中金公司則稱，在新能源車、光伏發(fā)電等重點行業(yè)終端出貨量快速成長，疊加SiC滲透率提升且短期內(nèi)器件價格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市場規(guī)模有望迎來增速最快的三年周期。

該機構分析師進一步表示，中國相關供應商雖起步較晚，但得益于新能源車、光伏逆變器本土品牌商市場份額提升，國內(nèi)企業(yè)獲得了入場機會，國內(nèi)SiC器件供應商有望把握本土化機會，復制硅基IGBT時代輝煌，擁有全產(chǎn)業(yè)一體化(材料、制造、封測)能力的企業(yè)存在著更大的競爭優(yōu)勢，建議關注三安光電、斯達半導、華潤微等上市公司以及部分技術領先的未上市企業(yè)。

（文章來源：財聯(lián)社）

關鍵詞： 第三代半導體 MOSFET